金属电镀通常发生在过电位模式，物联网全国即在比标准电位更负的电位。

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【引言】非易失性相变存储器已经成功地商业化，有何但要进一步将密度缩小到10 nm以下，有何需要为存储单元和相关的垂直堆叠的双端访问开关在成分和结构上均质的材料。【图文导读】图1 Te开关器件的结构和性能图2热退火前后200nmTe开关器件的电气特性图3 Te开关低OFF电流的来源图4通过原位TEM观测得到Te器件的开关机理文献链接：图表Elementalelectricalswitchenablingphasesegregation–freeoperation（Science，图表2021，DOI:10.1126/science.abi6332）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。低OFF电流是由于Te电极界面上存在~0.95电子伏肖特基势垒而产生的，物联网全国而纯Te的瞬态电压脉冲诱导晶液熔融转变则导致高ON电流。

然而，球市启示它们目前由于所使用的第四系或更多样化的硫族化合物所带来的化学复杂性而受到影响。选择器开关主要是非晶硫族化物Ovonic阈值开关(OTSs)，展现状对在非晶状态下，其工作时的非线性电流响应高于阈值电压。

有何相关成果以题为Elementalelectricalswitchenablingphasesegregation–freeoperation发表在了Science。

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球市启示这种方法还促进了全可拉伸场效应晶体管和逻辑门阵列的集成。然而，展现状对半导体聚合物很难同时获得优异的电子性能和机械灵活性，因此限制了半导体聚合物的实际应用。

有何21个站点被标记用于统计整个晶圆片的尺寸和电子性能。图表e,f,g的标尺分别为10μm,100μm,10μm。